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金融界2024年2月5日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体晶体管及其形成方法、及半导体器件“授权公告号CN113380898B,申请日期为2021年5月。专利摘要显示,一种半导体晶体管,包括沟道结构,该沟道结构包括沟道区域和位于沟道区说完了。
南方财经2月5日电,半导体板块午后拉升,盛景微涨停,顺络电子、法拉电子涨超6%,北方华创涨超5%,华润微、华海清科、中芯国际等跟涨。
nan fang cai jing 2 yue 5 ri dian , ban dao ti ban kuai wu hou la sheng , sheng jing wei zhang ting , shun luo dian zi 、 fa la dian zi zhang chao 6 % , bei fang hua chuang zhang chao 5 % , hua run wei 、 hua hai qing ke 、 zhong xin guo ji deng gen zhang 。
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快科技2月5日消息,据媒体报道,三星计划明年在韩国开始2nm工艺的制造,并且在2047年之前,三星将在韩国投资500万亿韩元,建立一个巨型半导体工厂,将进行2nm制造。据悉,2nm工艺被视为下一代半导体制程的关键性突破,它能够为芯片提供更高的性能和更低的功耗。作为三星最大的竞是什么。
半导体及元件板块午后拉升,盛景微涨停,顺络电子、法拉电子涨超6%,北方华创涨超5%,华润微、华海清科、中芯国际等拉升。本文源自金融界AI电报
金融界2024年2月3日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“半导体器件及制造其的方法“授权公告号CN108183106B,申请日期为2017年12月。专利摘要显示,一种半导体器件包括衬底、外围结构、下绝缘层和堆叠。衬底包括外围电路区域和单元阵列区域。外神经网络。
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金融界2024年2月3日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“半导体存储器件及其制造的方法“授权公告号CN109378315B,申请日期为2018年6月。专利摘要显示,一种半导体存储器件包括单元阵列区域和外围电路区域。单元阵列区域包括电极结构和垂直结构,该后面会介绍。
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金融界2024年2月3日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“半导体存储器件“的专利,授权公告号CN109841630B,申请日期为2018年10月。专利摘要显示,一种半导体存储器件包括堆叠结构,该堆叠结构包括垂直地堆叠在衬底上的多个层。所述多个层的每个包括说完了。
金融界2024年2月3日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“三维半导体存储器件及其操作方法“授权公告号CN108461499B,申请日期为2018年2月。专利摘要显示,本发明提供一种三维(3D)半导体存储器件及其操作方法,该3D半导体存储器件包括:电极结构,包括神经网络。
金融界2024年2月3日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“预测半导体集成电路良率的装置和半导体器件的制造方法“授权公告号CN109426698B,申请日期为2018年8月。专利摘要显示,提供了一种良率预测装置。良率预测装置可以包括耦接到至少一个非暂时等会说。
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