快恢复二极管:有0.8-1.1V的正向导通压降,35-85nS的反向恢复时间,在导通和截止之间迅速转换,提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工
因基区很薄,反向恢复电荷很小,所以快恢复二极管的反向恢复时间较短,正向压降较低,反向击穿电压(耐压值)较高。 超快恢复二极管(简称SFD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点
yin ji qu hen bo , fan xiang hui fu dian he hen xiao , suo yi kuai hui fu er ji guan de fan xiang hui fu shi jian jiao duan , zheng xiang ya jiang jiao di , fan xiang ji chuan dian ya ( nai ya zhi ) jiao gao 。 chao kuai hui fu er ji guan ( jian cheng S F D ) shi yi zhong ju you kai guan te xing hao 、 fan xiang hui fu shi jian duan te dian . . .
普通二极管的正向电流和反向电压可以达到很高,往往可以有几千安培或者几千伏特。2、快恢复二极管 从名字上就可以看出,这种二极管的反向恢复时间很短,一般是在5us以下,快恢复二极管(简称
MDD快恢复二极管正向压降的变化,会影响到电路的温度吗?答案是会的,正向压降偏高是导致快恢复二极管应用电路发热的常见原因。PIN结相对于PN结有更快的恢复时间,N型外延内的载流
图1是快恢复二极管的反向恢复波形示意图,其中标示了快恢复二极管的基本性能参数。 IFM为二极管正向峰值电流,-diF/dt为正向通志电流下降率,IRM反向峰值电流,VFM为二极管正向通态压降
一般来说,快恢复二极管的正向压降小,0.4V左右,而普通的硅管在0.6V左右,为了降低损耗才用快恢复二极管。 如果快恢复二极管反向击穿电压是40V,反向击穿之后能够快速恢复;如果快恢复二
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