摘要：最大可以到200V。现行技术也可以制造出反向偏压更高的肖特基二极管，但是其导通电压也会升高到和普通二极管相同的水平，因此除非是需要高切换速度的场合，这种二极管在应用中没有优势。 碳化硅肖特基二极管是一种新型的肖特基二极管，与传统的硅质二极管相比，其反向漏电流更低、反向耐压更高，但导通电压也更高（25°C时的导通电压为1。...最大可以到200V。现行技术也可以制造出反向偏压更高的肖特基二极管，但是其导通电压也会升高到和普通二极管相同的水平，因此除非是需要高切换速度的场合，这种二极管在应用中没有优势。 碳化硅肖特基二极管是一种新型的肖特基二极管，与传统的硅质二极管相比，其反向漏电流更低、反向耐压更高，但导通电压也更高（25°C时的导通电压为1。
耿氏二极管（英语：Gunn diode，香港作耿氏二极体，台湾作甘恩二极体、刚氏二极体），或称转移电子器件（transferred electron device, TED）是一种在高频率电子学中应用的二极管形式。与一般的二极管同时具有N型区和P型区不同，它只由N型杂质半导体材料组成。耿氏二极管。
geng shi er ji guan （ ying yu ： G u n n d i o d e ， xiang gang zuo geng shi er ji ti ， tai wan zuo gan en er ji ti 、 gang shi er ji ti ） ， huo cheng zhuan yi dian zi qi jian （ t r a n s f e r r e d e l e c t r o n d e v i c e , T E D ） shi yi zhong zai gao pin lv dian zi xue zhong ying yong de er ji guan xing shi 。 yu yi ban de er ji guan tong shi ju you N xing qu he P xing qu bu tong ， ta zhi you N xing za zhi ban dao ti cai liao zu cheng 。 geng shi er ji guan 。
光电二极管（英语：photodiode）是一种能够将光根据使用方式，转换成电流或者电压信号的光探测器。 常见的传统太阳能电池就是通过大面积的光电二极管来产生电能。 光电二极管与常规的半导体二极管基本相似，只是光电二极管可以直接暴露在光源附近或通过透明小窗、光导纤维封装，来允许光到达这种器件的光敏感。
TV），但此並不是指使用发光二极管做为图像显示的电视。同样LED背光液晶显示器被简称为LED显示器（LED Monitor）。 隨著发光二极管电视市场竞爭日趋激烈，加上发光二极管应用逐渐成熟，各家电视厂商纷纷积极导入发光二极管背光液晶显示电视，企图在家用电视改朝换代之际能够拔得头筹。 发光二极管背光技术可分为直下式（direct。
硫化铅是一种重要的窄禁带半导体材料，在室温时，其能带间隙约为0.4eV，波尔激子半径则为相对较大的18nm。硫化铅对于红外辐射很敏感，非常适合应用于红外探测；同时，硫化铅也在二极管激光器、太阳能电池等领域有广泛的应用。 Patnaik, Pradyot. Handbook of Inorganic Chemical Compounds。
肖特基势垒（英语：Schottky barrier），是指具有整流特性的金属-半导体界面，就如同二极管具有整流特性。肖特基势垒（障壁）相较於PN接面最大的区别在於具有较低的接面电压，以及在金属端具有相当薄的(几乎不存在)耗尽层宽度。 並非所有的金属-半导体接面都是具有整流特性的，不具有整流特性的金。
应用的可见光发光二极体。 1993年，日本日亚化学工业（Nichia Corporation）工作的中村修二成功把镁掺入，造出了基於宽能隙半导体材料氮化鎵和氮化銦鎵（InGaN）、具有商业应用价值的蓝光发光二极管。 有了蓝光发光二极管后，白光发光二极管。
它适合用于人造卫星的太阳能电池阵列。军事的和空间的应用也可能受益，因为氮化镓设备在辐射环境中显示出稳定性。相比砷化镓（GaAs）晶体管，氮化镓晶体管可以在高得多的温度和电压工作运行，因此它们是理想的微波频率的功率放大器。 基于氮化镓的紫色激光二极管被用于读取蓝光光盘。氮化镓与铟（InGaN）或铝（。
双平衡混频器相对于非平衡与单平衡混频器更加复杂，驱动电平也更高。 对一个特定应用来说选取混频器的类型是一个权衡的过程。 混频器电路具有变频增益（或损耗）和噪声系数（英语：noise figure）等特性。 用作混频器的非线性电子元件包括二极管、晶体管近截止偏置，在低频下有模拟乘法器。充到饱和的磁芯电感也被使。
在1980年代后期，半导体技术使得更高效而耐用的半导体激光二极管成为可能，这些在小功率的CD和DVD光驱和光纤数据线中得到使用。 在1990年代，高功率的激光激发原理得到实现，比如片状激光和光纤激光。后者由于新的加工技术和20kW的高功率不断地被应用到材料加工领域中，从而部分的替代了CO2激光和Nd:YAG激光。。
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PN结是所有半导体二极管的基本工作原理。 对于普通的直流电，PIN型二极管和普通的二极管没有太大的差异。但与普通的PN结二极管相比，PIN型二极管在高频应用中有着非常特殊的特性。当在PIN型二极管上施以正向偏置的直流电时，PIN型二极管允许高频振荡的整个波形通过二极管，此时，PIN型二极管。
自1963年由摩托罗拉推出以来，1N400x系列二极管是电子工业中特别常用的二极管型号，使用十分广泛，常在各类电器的交流电源适配器中用作整流器。 1N400x系列二极管最初于1963年由摩托罗拉半导体产品部门推出，并在JEDEC进行了型号登记（Type Registration），记录中的产品类型为“用于工业或军事应用。
在电子学领域里，LED驱动电路（LED circuit，又译发光二极管电路），为发光二极管灯具的核心器件，是一个用来使发光二极管（LED）发亮的电路。 随着全球倡导绿色照明以及节能的迫切需求。越来越多的照明产品进入到发光二极管光源的时代。而作为发光二极管灯具的核心器件，LED驱动芯片扮演着越来越重要的角色。。
应用真空二极管的老式音频设备有回潮的迹象，如家用音响系统甚至是吉他效果器。 电路图中用于二极管的图标如下图表所示。 二极管 发光二极管 (LED) 光电二极管 肖特基二极管 瞬态抑制二极管 (TVS) 隧道二极管 变容二极管 齐纳二极管 点接触式二极管和下文所述的面接触式二极管。
变容二极管（英语：Varicap diode），又称变容二极管、可变电容二极管、可变电抗二极管或调谐二极管，是电子学中一种旨在利用反向偏置p-n 结电压相关电容的二极管。 变容二极管用作压控电容器。它们通常用于压控振荡器、参量放大器和倍频器。 压控振荡器有许多应用。
二者的特性。光子学包括光从紫外线、可见光到远红外线之间所有频谱的应用。不过大部份的应用是在可见光及近红外线。光子学一词是在六十年代初期，第一个实用的半导体光感测器发明后，以及七十年代光纤发展之后开始出现。 光子学包括通过激光和发光二极管产生光，通过光学元件传输光，以及通过基于电子、声学和光子的设备实。
是砷化镓之类的化合物，也可以是硅-锗之类的半导体合金。 半导体异质结构（heterostructure）的二极管特性非常接近理想二极管。另外，通过调节半导体各材料层的厚度和能带隙，可以改变二极管电流与电压的响应参数。半导体异质结构对半导体技术具有重大影响，是高频晶体管和光电子元件的关键成分。。
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发光二极管显示器（英语：LED display）是一种使用发光二极管的显示器，又称“发光二极管显示板”（LED panel），HSCODE：85312000，广泛应用于资讯发布、户外媒体、体育场馆、室内大型显示解决方案。此外，在户外的交通指示或公共交通的显示牌中也很常见。。
个部分，阴极和阳极分别为汞池和石墨或不锈钢，引燃极是引燃管最重要的部分，以耐高温的、具有高电阻率且不被汞浸润的材料制成，通常为碳化硅或碳化硼等半导体材料。当引燃电流时，汞池表面产生阴极炽点而发射电子，电子在向阳极运动过程中使汞蒸气电离，在阳极与汞池间形成弧光，放电。 真空管 二极管 晶闸管 整流器。
磷化三铁可由铁和磷在高温下的化合反应来制备。磷化三铁和湿气、酸反应，生成磷化氢（PH3），它是一种有毒、可自燃的气体。 磷化三铁是一种半导体。它已用于高功率、高频的应用，例如激光二极管。 Iron phosphide, 99.5% (metals basis). alfa. Alfa Aesar. [7 August。
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