摘要：金融界2024年1月11日消息，据国家知识产权局公告，京东方科技集团股份有限公司取得一项名为“一种有机发光二极管器件及其制备方法、显示装置“授权公告号CN107394052B,申请日期为2017年8月。专利摘要显示，本发明提供一种有机发光二极管器件及其制备方法、显示装置，属于还有呢？
...金融界2024年1月11日消息，据国家知识产权局公告，京东方科技集团股份有限公司取得一项名为“一种有机发光二极管器件及其制备方法、显示装置“授权公告号CN107394052B,申请日期为2017年8月。专利摘要显示，本发明提供一种有机发光二极管器件及其制备方法、显示装置，属于还有呢？
格隆汇1月9日，银河微电(688689.SH)在投资者互动平台表示，公司碳化硅产品持续研发中。其中，碳化硅肖特基二极管已量产650V和1200V规格。电流范围1A~50A;碳化硅MOSFET 已完成第一代1200V 80mΩ/40mΩ 单管产品的开发。公司在真空焊接、纳米银烧结、耐高温包封等方面等会说。
ge long hui 1 yue 9 ri shu yin he wei dian ( 6 8 8 6 8 9 . S H ) zai tou zi zhe hu dong ping tai biao shi ， gong si tan hua gui chan pin chi xu yan fa zhong 。 qi zhong ， tan hua gui xiao te ji er ji guan yi liang chan 6 5 0 V he 1 2 0 0 V gui ge 。 dian liu fan wei 1 A ~ 5 0 A ; tan hua gui M O S F E T yi wan cheng di yi dai 1 2 0 0 V 8 0 m Ω / 4 0 m Ω dan guan chan pin de kai fa 。 gong si zai zhen kong han jie 、 na mi yin shao jie 、 nai gao wen bao feng deng fang mian deng hui shuo 。
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金融界2024年1月3日消息，据国家知识产权局公告，TCL科技集团股份有限公司取得一项名为“复合材料及其制备方法和量子点发光二极管“授权公告号CN113809248B,申请日期为2020年6月。专利摘要显示，本发明属于发光器件材料技术领域，具体涉及一种复合材料及其制备方法和量子好了吧！
金融界2023年12月30日消息，据国家知识产权局公告，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种碳化硅二极管器件及其制备方法“公开号CN117316986A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示，一种碳化硅二极管器件及其制备方法。涉及半导体器件。包括从下而上依次设置说完了。
金融界2023年12月30日消息，据国家知识产权局公告，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种新型源区沟槽碳化硅二极管器件及其制备方法“公开号CN117316984A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示，一种新型源区沟槽碳化硅二极管器件及其制备方法。涉及半导体技等我继续说。
金融界2023年12月29日消息，据国家知识产权局公告，京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“有机电致发光二极管和显示面板“公开号CN117321058A,申请日期为2022年4月。专利摘要显示，本公开提供一种有机电致发光二极管和显示面板，属于显示技术领域。该有机电致发光二神经网络。
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证券之星消息，根据企查查数据显示京东方A(000725)公布了一项国际专利申请，专利名为“发光二极管器件及其制备方法、显示基板和显示装置”，专利申请号为PCT/CN2023/094982,国际公布日为2023年12月28日。专利详情如下：图片来源：世界知识产权组织(WIPO)今年以来京东方A已等会说。
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金融界2023年12月28日消息，据国家知识产权局公告，TCL科技集团股份有限公司取得一项名为“一种量子点发光二极管及其制备方法“授权公告号CN114267814B,申请日期为2020年9月。专利摘要显示，本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，通过该制备方法，将PVDF掺杂于P是什么。
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金融界2023年12月26日消息，据国家知识产权局公告，武汉光迅科技股份有限公司申请一项名为“光电二极管及其制造方法“公开号CN117293214A,申请日期为2022年6月。专利摘要显示，本发明实施例提供光电二极管及其制造方法，所述光电二极管包括：衬底；N型电极接触层，位于所述衬神经网络。
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金融界2023年12月27日消息，据国家知识产权局公告，京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“发光二极管芯片及其制备方法和显示装置“公开号CN117296156A,申请日期为2022年4月。专利摘要显示，本公开提供了一种发光二极管芯片，包括：多个外延结构，位于基底一侧，任意相邻的神经网络。
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