摘要：
二极管的两端时，中央薄层处的电梯度（electrical gradients，类似电化学梯度）最大。由于在导体材料中，电流与电压成正比，导电性将会产生。最终，中央薄层处会产生较高的电场值，从而得到较高的电阻，阻止导电性的进一步增加，电流会开始下降。这意味着耿氏二极管具有负阻（Negative。...
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二极管的两端时，中央薄层处的电梯度（electrical gradients，类似电化学梯度）最大。由于在导体材料中，电流与电压成正比，导电性将会产生。最终，中央薄层处会产生较高的电场值，从而得到较高的电阻，阻止导电性的进一步增加，电流会开始下降。这意味着耿氏二极管具有负阻（Negative。
电导的两个端子（阴阳二极接线端，故名「二极」）的电子元件；此二极使其原则上仅允许电流作单方向传导，它在一个方向为低电阻（理想情况下是零），高电流，而在另一个方向为高电阻。现今，二极（理想情况下是零）用半导材料。 藉由二极管的特性，在电力工程上常用作整流器（将交流电变成直流电。
dian dao de liang ge duan zi （ yin yang er ji jie xian duan ， gu ming 「 er ji 」 ） de dian zi yuan jian ； ci er ji shi qi yuan ze shang jin yun xu dian liu zuo dan fang xiang chuan dao ， ta zai yi ge fang xiang wei di dian zu （ li xiang qing kuang xia shi ling ） ， gao dian liu ， er zai ling yi ge fang xiang wei gao dian zu 。 xian jin ， er ji （ li xiang qing kuang xia shi ling ） yong ban dao cai liao 。 ji you er ji guan de te xing ， zai dian li gong cheng shang chang yong zuo zheng liu qi （ jiang jiao liu dian bian cheng zhi liu dian 。
饱和电流，或者更精确的说，反向饱和电流是半导体二极管中由少数载流子从中立区到耗尽层或耗尽区的扩散引起的那部分反向电流。反向饱和电流几乎不受反向电压的影响。(1，Steadman 1993, 459) IS，一个理想p-n二极管的反向偏置饱和电流由下式(2，Schubert 2006, 61)给出: I。
变容二极管（英语：Varicap diode），又称变容二极管、可变电容二极管、可变电抗二极管或调谐二极管，是电子学中一种旨在利用反向偏置p-n 结电压相关电容的二极管。 变容二极管用作压控电容器。它们通常用于压控振荡器、参量放大器和倍频器。 压控振荡器有许多应用，例如调频发射机的频率调制和锁相环。。
续流二极管（flyback diode），有时也称为飞轮二极体（freewheeling diode）或是snubber二极体，是一种配合电感性负载使用的二极体，当电感性负载的电流有突然的变化或减少时，电感二端会产生突波电压（英语：Voltage spike），可能会破坏其他元件。配合续流二极管。
电流不被打断，因为空穴（p-区的多数载流子）在外电场驱动下在向相反方向移动。从p-区跨越pn接面注入n-区的空穴也具有类似性质。 正向偏置下，跨pn接面的电流强度取决于多数载流子的密度，这一密度随正向偏置电压的大小成指数增加。这使得二极管可以导通正向大电流。 若施加在n区的电压高於p区的电。
电路。 利用半导体技术制造出积体电路。 所有的电路都遵循一些基本电路定律。 基尔霍夫电流定律：流入一个节点的电流总和，等于流出节点的电流总和。 基尔霍夫电压定律：环路电压的总和为零。 欧姆定律：线性元件（如电阻）两端的电压，等于元件的阻值和流过元件的电流的乘积。 以下两条定理仅适用于线性电路。
diode，LED）是一种半导体光源，当电流通过它时会发光；即一种电致发光的半导体电子元件，其内电子与电子空穴复合，以光子的形式释放能量。 发光二极体结构的核心部分是p-n结，周边部分有环氧树脂密封其引线与框架以保护内部芯线。当p-n结通以正向电流时，能发射可见或非可见辐射，此辐射为透过三价与五价元素所组成复合光源。 发光二极管。
detection）。 二极管可以用来制作简单的不平衡混频器。这种类型的混频器产生的信号会包含原始频率以及它们的和与差。二极管的显着特性是它的非线性（或非欧姆行为），这意味着它的响应（电流）不与其输入（电压）成正比。因此二极管不会再生流过它的电流的驱动电压的频率，这就可以控制所需频率。 通过理想二极管的电流 I 作为电压。
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在凝聚体物理学和电化学中，漂移电流是在施加电场下载流子定向运动产生的电流。当电场加在半导体材料上时，载流子流动产生电流。 漂移速度是指漂移电流中载流子运动的平均速度。漂移速度以及产生的电流，是通过迁移率(mobility)来表述的。更详细的内容，请参见电子迁移率(对于固体)和电迁移率(更一般的讨论)。 在电流。
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目前发光二极管驱动芯片按类型可分为：恒压式驱动芯片、恒流式驱动芯片以及脉冲式驱动芯片。其中恒压式驱动芯片一般就是我们常见的DC/DC升压芯片居多。这种方案的优点是芯片成本便宜没有复杂的外围电路。但只能恒定电压驱动LED就会造成驱动输出时电路电流的不可控。无法保证LED亮度的一致性。 恒流。
1N400x二极管（又称1N4001或1N4000二极管）是型号为1N4001至1N4007的一系列通用硅二极管，其额定电流为1 A，反向耐压范围在50 V（1N4001）至1000 V（1N4007）之间，采用通孔插装式DO-41封装。而1N540x二极管和1N400x相似，但额定电流提升至3。
电源，而这一电路的输出电压由两个齐纳二极管（也可用一个双阳极齐纳二极管代替）确定。在这一配置中，输出电平可以通过选择适宜的齐纳二极管来改变，而输出电平对於电源波动具有抵抗力，也就是说输出电平提高了比较器的电源电压抑制比（PSRR）。电阻R3用於限制通过二极管的电流，电阻R4将比较器的输入漏电流。
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谐振隧穿二极管(Resonant tunneling diode, RTD)是利用电子在某些能级能够谐振隧穿而导通的二极管。其电流电压特性常显示出负阻特性。 所有的隧道二极管(Tunnel diode)都是利用量子穿隧效应工作的。它们大多具有负阻的电流电压特性,用于高速电子器件，因为隧穿薄层的时间很短，比如振荡器。最高工作频率可达THz。
性能指标为量子效率（表示APD吸收入射光子并产生原始载流子的效率）和总漏电流（为暗电流、光电流与噪声之和）。暗电噪声包括串联和并联噪声，其中串联噪声为霰弹噪声，它大致正比于APD的电容，而并联噪声则与APD的体暗电流和表面暗电流的波动有关。此外，还存在用噪声系数F表示的超额噪声，它是随机的APD倍增过程中所固有的统计噪声。。
(circuit)），会抑制超过其崩溃电压的过高电压。当过电压消失时，TVS二极管会自动復归，而其吸收的能量比类似额定的撬棒电路（英语：Crowbar (circuit)）要大很多。 TVS二极管有单向的及双向的。单向的TVS二极管在顺向操作时类似整流器，但在其设计允许承受很大的峰值电流，1.5KE系列的瞬间功率可以到1500。
假如在栅极和源极之间施一负电压的话则闸源二极管之间的耗尽区更加扩大。沟道的宽度和长度均可以被改变。这样一来可以达到控制效应，这个效应与双极性晶体管的原理类似。在输出特性曲线上可以看得出电流水平的部分的值变小。在这种情况下提高源漏电压也只能很小地改变漏电流。。
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二极管，但是其导通电压也会升高到和普通二极管相同的水平，因此除非是需要高切换速度的场合，这种二极管在应用中没有优势。 碳化硅肖特基二极管是一种新型的肖特基二极管，与传统的硅质二极管相比，其反向漏电流更低、反向耐压更高，但导通电压也更高（25°C时的导通电压为1.4-1.8。
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化镓之类的化合物，也可以是硅-锗之类的半导体合金。 半导体异质结构（heterostructure）的二极管特性非常接近理想二极管。另外，通过调节半导体各材料层的厚度和能带隙，可以改变二极管电流与电压的响应参数。半导体异质结构对半导体技术具有重大影响，是高频晶体管和光电子元件的关键成分。。
光电二极管（英语：photodiode）是一种能够将光根据使用方式，转换成电流或者电压信号的光探测器。 常见的传统太阳能电池就是通过大面积的光电二极管来产生电能。 光电二极管与常规的半导体二极管基本相似，只是光电二极管可以直接暴露在光源附近或通过透明小窗、光导纤维封装，来允许光到达这种器件的光敏感。
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